La structure de la blende de zinc ou de la sphalérite ressemble étroitement à la structure du diamant. Cependant, la zinc-blende se distingue du diamant par le fait qu’il est composé de deux types d’atomes différents, alors que les structures en diamant sont associées à des éléments simples. La cellule élémentaire à base de zinc-blende est cubique et est décrite par un paramètre de réseau ou une longueur de côté de la cellule. La cellule unitaire à base de zinc-blende peut être visualisée sous la forme de deux cellules unitaires superposées, centrées sur le visage, légèrement décalées l'une par rapport à l'autre. Les atomes de la structure zinc-blende sont étroitement liés, ce qui permet de relier le paramètre de réseau à la taille des atomes de la cellule unitaire.
Recherchez les rayons atomiques des deux éléments cristallisés dans la structure zinc-blende dans un tableau périodique ou un manuel chimique. Notez que les rayons atomiques sont parfois étiquetés "liaison covalente" ou "rayons ioniques" et que le rayon d'un élément peut différer lors de la comparaison de tableaux périodiques car la valeur du rayon dépend de la méthode utilisée pour le mesurer ou le calculer. Représente le rayon atomique de l'un des éléments avec R1 et de l'autre avec R2. Par exemple, si vous calculez le paramètre de réseau de GaAs, un semi-conducteur structuré à base de zinc-blende, recherchez le rayon atomique de Ga (R1 = 0,126 nm) et d'As (0,120 nm).
Ajoutez les rayons atomiques pour obtenir le rayon combiné: R1 + R2. Par exemple, si vous déterminez le paramètre de réseau de GaAs, ajoutez les rayons atomiques de Ga et de As. Le rayon combiné est 0.246 nm = 0.126 nm + 0.120 nm = R1 + R2.
Calculez le paramètre de réseau zinc-blende (a) en utilisant la formule: a = (4/3 ^ (1/2)) x (rayon combiné). Par exemple, le paramètre de réseau de GaAs est: a = 0,568 nm = (4/3 ^ (1/2)) x (0,126 nm + 0,120 nm) = (4/3 ^ (1/2)) x (R1 + R2).